T.S.
鐵電隨機存取記憶體（F-RAM）的應用規模正持續擴大，由於具有高速存取、無延遲寫入、幾乎無限次的讀／寫週期、以及低功耗等特性，再加上毋須電容的設計，即使瞬間斷電亦可確保資料寫入的完整性而不必擔心資料漏失，除了一般工業應用之外，在消費性電子產品市場上，亦成為網路磁碟陣列（RAID：Redundant Array of Independent Disks）儲存解決方案的新選擇。有鑑於此，RAMTRON也鎖定此一市場，準備積極進軍，並希望爭取國際大廠訂單。
初試啼聲
不容諱言的是，記憶體相關技術眾多，鐵電記憶體只是其中一項；對國際硬碟大廠來說，究竟什麼是F-RAM？和非揮發性SRAM（NVSRAM：Non-Volatile SRAM）又有什麼不同？RAMTRON台灣銷售經理黎本文坦承，目前鐵電記憶體在RAID的應用，仍在初萌芽階段，許多國際大廠儘管莫不積極嘗試想要提高價格性能比，但對於F-RAM的優點與好處，卻未必真正了解，市場仍有很大的發展空間。
圖一：RAMTRON台灣銷售經理黎本文表示，鐵電記憶體（F-RAM）擁有低耗電、毋須外部電容等特色，而這些均有賴於該公司所掌握之鉛鋯鈦（PZT）材料專利技術的採用。（攝影：T.S.）
由於RAID是由多塊硬碟組成，必須能夠記錄文件位置，尤其RAID目前仍以伺服器為主要應用標的，對於資料安全性的要求即高，即使遇到瞬間斷電的情況，仍然必須確保最後一筆資料可完整寫入，以免出現資料遺失或無法開機等情況。
對此，黎本文指出，不少業者對於鐵電記憶體的認知，係誤以為這是非揮發性隨機存取記憶體（nvRAM）的一種，只是毋須加裝電容而已。然而，事實上，相較於NVRAM，F-RAM的工作電壓更低而更省電、能夠做到即刻喚醒（instant wake up）、毋須外部電容、小尺寸封裝、以及簡單管理等設計，而這些均得力於F-RAM採用了PZT晶體結構材料，乃因此成為NVSRAM所望塵莫及的特色，使RAID的系統結構與可靠性均大為提升。
一鳴驚人
簡單來說，鐵電記憶體是以電子半導體的原子移動方式來進行，而非一般DRAM的電子電洞結合，更與望文生義可能誤解的電磁運作毫無關係，因此不需要高電壓或不斷刷新（refresh）以確保內部資料的安全性與完整性，是故目前已有不少應用傾向採用F-RAM技術。
事實上，黎本文指出，s鐵電記憶體具有低功耗的特色，甚至可供被動式RFID標籤之用，而在二○○九年初，則推出8Mbit的F-RAM；預估在二○○九年底之前，還會再推出16Mbit之產品，對長期應用電池之消費性電子產品，將有極大助益。
潛力十足
基於成本考量，目前磁碟陣列的應用，主要在伺服器領域，也就是主要著眼於企業與商業應用。針對這類應用，客戶所關注的重點有二：小而美與省能。黎本文指出，目前資料庫的設計概念，已由中央控管轉向分散處理，而幾乎每個伺服器都有RAID儲存解決方案，所以RAID的數量勢必會隨伺服器的數量成長而向上攀升；此外，從省能的角度看，傳統的伺服器硬碟將會為固態硬碟（SSD：Solid State Disk）所取代，包含英特爾（Intel）等大廠為拓展勢力範圍，也在個人電腦之外選擇首先從伺服器切入。更重要的是，以RAID產品經久度（MTBF：Mean Time Between Failure）來看，在各種記憶體技術之中，也是以F-RAM最高。凡此種種，均可見鐵電記憶體的市場潛力無窮。
目前在台灣市場上，黎本文表示，對台灣RAMTRON來說，來自RAID的營收挹注約在百分之二十至三十左右。至於目標對象，該公司主要係以OEM/ODM客戶為大宗，在二○○八年底推出了1Mbit的FM28V100，但也積極拓展國際品牌大廠客戶，目標是希望在二○一○年中時，取得一至兩家國際大廠的訂單。不僅如此，從RAMTRON的角度，除了拓展國際市場之外，更希望透過其在鐵電記憶體技術材料的專利，協助客戶降低成本、快速導入。
針對未來鐵電記憶體的發展，黎本文表示，該公司已在二○○九年初推出8Mbit的F-RAM，並預估在今年底之前，推出16Mbit的F-RAM，對長期搭載電池的消費性電子產品將有相當貢獻，可望開發更多創新應用。
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